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SI5513CDC-T1-GE3中文资料

  • 大小：276KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：N 和 P 沟道
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A，3.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 4.4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：285pF @ 10V
  • 功率 - 最大：3.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI5513CDC-T1-GE3TR

SI5513CDC-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-30 18:15:45
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